[发明专利]W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010131981.5 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101777469A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;史彦慧;吴胜利;徐可为;熊斯梁;刘录平;吴汇焱;马凌志;岳晴雯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以W靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有WNX导电相与SiNX绝缘相的W-Si-N纳米双相结构的表面传导电子发射薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | si 纳米 结构 表面 传导 电子 发射 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种W-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以W靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有WNX导电相与SiNX绝缘相的W-Si-N纳米双相结构的表面传导电子发射薄膜。
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