[发明专利]一种使用SiGe源极的栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010132082.7 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101807601A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 臧松干;王鹏飞;丁士进;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 sige pnpn 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种栅控PNPN场效应晶体管，其特征在于该场效应晶体管结构包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在所述半导体衬底内靠近漏区的一侧形成的凹陷沟道区域；在所述半导体衬底上凹陷沟道区域的非漏区侧形成的具有第二种掺杂类型的SiGe耗尽区；在所述SiGe耗尽区之上形成的具有第一种掺杂类型的SiGe源区；在所述凹陷沟道区域之上形成的覆盖整个凹陷沟道区域的栅区；在所述栅区两侧形成的覆盖整个栅区两侧面的第一种绝缘薄膜边墙；以第二种绝缘薄膜覆盖所述源区、漏区、栅区以及边墙区；在所述源区、漏区以及栅区形成的导电材料的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010132082.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置
- 下一篇：含氟聚合物及以其为有效成分的表面改性剂
- 同类专利
- 专利分类
