[发明专利]背照式图像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201010132236.2 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054715A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄冠杰;杨敦年;吴志仁;黄振铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/02;H01L23/485;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了背照式图像传感器的制造方法，包括：设置具有前侧和背侧的器件衬底，在前侧形成多个像素，并在前侧的上方形成互连结构；在互连结构的上方形成重新分布层(RDL)；将玻璃衬底结合至RDL；从背侧减薄器件衬底；以及去除玻璃衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器的制造方法，所述方法包括：设置具有前侧和背侧的器件衬底，其中，在所述前侧形成多个像素，并在所述前侧的上方形成互连结构；在所述互连结构的上方形成重新分布层(RDL)；将玻璃衬底结合至所述RDL；从所述背侧使所述器件衬底减薄；以及去除所述玻璃衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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