[发明专利]喷淋头和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201010132396.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101834120A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种喷淋头和等离子体处理装置，其能够抑制喷淋头的温度升高，并且能够使喷淋头的温度分布均匀，实现处理均匀性的提高。本发明的喷淋头以与用于载置基板的载置台相对的方式设置于在内部处理基板的腔室内，用于从设置在与所述载置台相对的相对面上的多个气体喷出孔向所述基板以喷淋状供给气体，在与相对面相反侧的面上立设有多个构成为棒状的热传导柱。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种喷淋头，该喷淋头以与用于载置基板的载置台相对的方式设置于在内部处理所述基板的腔室内，用于从设置在与所述载置台相对的相对面上的多个喷出孔向所述基板以喷淋状供给气体，该喷淋头的特征在于：在与所述相对面相反侧的面上立设有多个构成为棒状的热传导柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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