[发明专利]钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法，其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三种金属沉积在硅片的电极面上，然后用烧结炉将所述硅片在真空高温下形成高性能的钛镍银多层金属电极，它稳定性强，导电性好，使用寿命高，并能增加器件的通态能力和可靠性。

主权项

一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)将硅片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99％以上的钛、镍、银三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；(2)关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0×10-3Pa，加热升温至200℃；(3)先将坩埚中装有钛材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发10-15分钟，使硅片的电极面上沉积一层钛金属；然后关断电子束高压开关，调整坩埚中装有镍材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述钛金属层上沉积一层镍金属；然后关断电子束电流，调整坩埚中装有银材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述镍金属层上沉积一层银金属；(4)电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100℃时停止抽真空，打开放气阀，取出沉积上钛镍银多层金属的硅片；(5)将上述硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0×10-3Pa，套上炉体，升温至600℃，恒温60分钟；(6)移开炉体，降温至200℃时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钛镍银多层金属电力半导体器件电极。