[发明专利]齐纳二极管稳压电路无效
| 申请号： | 201010132678.7 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102200794A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 肖国庆;李茂登 | 申请（专利权）人： | 上海沙丘微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/18 | 分类号： | G05F3/18 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 沈原 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 齐纳二极管稳压电路，输入电压输入端接第一电流源和第三电流源输入端、第一电阻一端、第一NMOS管漏极、第一PMOS管源极；比较器同相输入端接第一电流源输出端、第一PMOS管栅极、齐纳二极管负极；比较器反相输入端接第一电阻另一端、第二电流源输入端；电压输出端接第二电阻一端、第一NMOS管源极、第一PMOS管漏极；比较器输出端接第二NMOS管栅极；第一PMOS管栅极接第三电流源输出端、第二NMOS管漏极；地线接齐纳二极管正极、第二电流源输出端、第二NMOS管源极、第二电阻另一端。齐纳二极管提供一个偏置电压，当输入电压高于击穿电压时，内部供电电压为击穿电压减去NMOS的阈值电压，当输入电压小于击穿电压时，内部供电电压等于输入电压。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 稳压 电路 | ||
【主权项】：
一种齐纳二极管稳压电路，包括齐纳二极管、比较器、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电流源、第二电流源、第三电流源，其特征在于：输入电压输入端为第一节点，连接第一电流源和第三电流源的输入端、第一电阻一端、第一NMOS管漏极、第一PMOS管源极；比较器同相输入端为第二节点，连接第一电流源的输出端、第一PMOS管栅极、齐纳二极管负极；比较器反相输入端为第三节点，连接第一电阻另一端、第二电流源的输入端；稳压电路的内部供电电压输出端为第四节点，连接第二电阻一端、第一NMOS管源极、第一PMOS管漏极；比较器输出端为第五节点，连接第二NMOS管栅极；第一PMOS管栅极为第六节点，连接第三电流源的输出端、第二NMOS管的漏极；地线为第七节点，连接齐纳二极管正极、第二电流源的输出端、第二NMOS管的源极、第二电阻另一端。
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