[发明专利]硅微纳米结构光伏太阳能电池无效
申请号: | 201010132772.2 | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN102201465A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 彭奎庆 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18 |
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地址: | 100875*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅微纳米结构光伏太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化导电薄膜层和P型硅基底层之间含有n型硅微纳米结构/p型硅微纳米结构三维p-n结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为:透明氧化物导电薄膜层,起透光作用并作为正面引出电极;n型硅微纳米结构层位于p型硅微纳米结构层之上,与p型硅微纳米结构层形成p-n结;p型硅微纳米结构层位于p型硅基底层之上。P型硅基底层,作为太阳能电池的基区;铝金属膜背电极,作为背面引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置,光吸收能力强,载流子收集效率高,光电转换效率高。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】:
硅微纳米结构阵列光伏太阳电池,它含有透明氧化物导电层、n型硅微纳米结构阵列层、p型硅微纳米结构阵列层、p型硅基底层、铝金属膜背电极层,其特征在于:所述太阳能转换装置含有依次相叠的下述各层,(1)透明氧化物导电薄膜层位于n型硅微纳米结构阵列层之上,作为正面引出电极;(2)n型硅微纳米结构阵列层位于p型硅微纳米结构阵列层之上,其作用是与p型硅微纳米结构阵列层形成三维p‑n结,产生光生伏特效应;(3)p型硅微纳米结构阵列层位于P型硅基底层之上,其作用是与n型硅微纳米结构阵列层形成三维p‑n结,产生光生伏特效应,同时作为太阳电池的基区;(4)P型硅基底层,位于铝金属膜背电极之上,其作用是作为太阳能电池的基区;(5)铝金属膜背电极,其作用是作为背面引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的