[发明专利]制造抗蚀图案的方法无效
申请号: | 201010133044.3 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN101834121A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 市川幸司;杉原昌子 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L23/522;G03F7/038 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种制造抗蚀图案的方法,所述图案足够微型化且具有优异形状,所述方法包括重复进行形成图案化抗蚀膜的工序,且所述工序包括步骤(1)(形成抗蚀膜,并将所述形成的抗蚀膜曝光)等,以通过n个循环形成图案化抗蚀膜,从而得到抗蚀图案。其中在形成所述图案化抗蚀膜工序的n个循环中,至少一个循环的步骤(1)中曝光的所述抗蚀膜是通过将抗蚀组合物成层而形成的膜。所述抗蚀组合物含有树脂(B)、光生酸剂(A)和交联剂(C),其中所述树脂(B)因酸的作用可溶于碱性水溶液中,且具有7000~10000的重均分子量和150~200℃的玻璃化转变温度。 | ||
搜索关键词: | 制造 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种通过重复进行形成图案化抗蚀膜的工序制造抗蚀图案的方法,所述工序依次包括下列步骤(1)、(2)和(3):(1)形成抗蚀膜,并将所述形成的抗蚀膜曝光;(2)对所述经曝光的抗蚀膜进行加热;以及(3)通过碱性显影对所述抗蚀膜进行图案化处理,其中将所述工序重复n个循环以获得抗蚀图案,n是2以上的整数,其中在形成图案化抗蚀膜的工序的n个循环中,在至少从第一个循环到第(n-1)个循环中,在所述步骤(3)之后还实施步骤(4):(4)对所述图案化抗蚀膜进行加热;以及其中在形成图案化抗蚀膜的工序的n个循环的至少一个循环中,步骤(1)中曝光的所述抗蚀膜是通过将抗蚀组合物成层而形成的膜,所述抗蚀组合物含有树脂(B)、光生酸剂(A)和交联剂(C),其中所述树脂(B)通过酸的作用可溶于碱性水溶液中,且具有7000~10000的重均分子量和150~200℃的玻璃化转变温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社,未经住友化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010133044.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微型喇叭
- 下一篇:光盘制造方法及光盘制造设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造