[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010133456.7 | 申请日： | 2010-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101833991A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 前岛洋;细野浩司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;刘瑞东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可有效防止存储单元复位动作后的误置位动作的发生的半导体存储装置。半导体存储装置具有：具备多个位线BL、与位线BL交差的多个字线WL及在位线BL和字线WL的交差部配置的存储单元MC的单元阵列MA；通过位线BL及字线WL向存储单元MC施加可变电阻元件VR从低电阻状态向高电阻状态过渡所必要的控制电压VRESET的控制电路；以及向可变电阻元件VR的一端侧赋予抑制与可变电阻元件VR从低电阻状态向高电阻状态的过渡伴随的电位变动的偏置电压Vα的偏置电压赋予电路30。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，具有：单元阵列，其具备多个第1布线、与上述第1布线交差的多个第2布线、及在上述第1布线和上述第2布线的交差部配置的包括非欧姆元件及可变电阻元件的串联电路的存储单元；控制电路，其通过上述第1布线及上述第2布线对上述存储单元施加使上述可变电阻元件从低电阻状态过渡到高电阻状态所必要的控制电压；以及偏置电压赋予电路，其向上述可变电阻元件的一端侧赋予抑制与上述可变电阻元件从上述低电阻状态向上述高电阻状态的过渡伴随的电位变动的偏置电压。
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