[发明专利]一种利用离体叶片高效繁殖火炬凤梨的方法

摘要

本发明提供了一种利用离体叶片快速繁殖火炬凤梨的方法，以火炬凤梨健壮侧芽的内层幼嫩叶片为外植体经外植体选择、叶片消毒、叶片诱导培养、不定芽增殖继代培养、不定芽生根培养，形成完整的植株小苗，将完整小苗驯化、移栽到育苗基质中，长成正常的火炬凤梨植株。本发明的一种利用离体叶片快速繁殖火炬凤梨的方法，芽分化率达74.7％，每个叶片可分化芽数为5.2个，增殖系数为3.6，且芽生长健壮，生根率达85.5％，移栽成活率达95％。本发明的一种离体叶片快速繁殖火炬凤梨的方法，实现了对火炬凤梨单株的保存，克服了传统繁殖方法育苗周期太长、繁殖系数低、成苗一致性差的问题，可进行种苗工厂化大规模生产，以适应市场对火炬凤梨的需求。

主权项

一种利用离体叶片高效繁殖火炬凤梨的方法，其特征在于包括如下步骤：1)外植体的选择：切取火炬凤梨母株基部长出的10～16cm长的健壮侧芽，用水冲洗干净，层层剥去外层老叶，切除侧芽基部木质化组织，将健壮侧芽剥成5～7cm长的小芽，继续用水冲洗干净，使用解剖刀剥下小芽内层3～5cm长的嫩叶，作为外植体；2)叶片消毒：在无菌操作台上，将嫩叶先用70％酒精消毒8～12s，再用0.1％升汞消毒6～8min，无菌水冲洗3～5次，用吸水纸吸干叶片表面水分，备用；3)叶片诱导培养：将消毒后的嫩叶竖直插入叶片诱导培养基中，嫩叶的叶尖朝上，叶基部朝下，诱导形成不定芽，每30d继代转接1次，转接3次，共培养90d，培养温度为20～25℃，光照时间为8～12h/d，光照强度为1000～1500lux；4)不定芽增殖继代培养：将步骤3)中诱导形成的不定芽切下，每2～3个芽为一丛，接种到不定芽增殖继代培养基中，每25d继代转接1次，转接2次，共培养50d，培养温度为20～25℃，光照时间为10～14h/d，光照强度为2000～2500lux；5)不定芽生根培养：将步骤4)中2.5～3.0cm长的不定芽切下，接种到不定芽生根培养基中进行生根培养，培养时间为40d，培养温度为20～25℃，光照时间为10～14h/d，光照强度为2000～2500lux；6)植株的驯化与移栽：将步骤5)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼苗，10～15d后取出，洗净附着的培养基，置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20～30s，然后移栽于体积比为5∶1的泥炭土和蛭石混合基质中，喷雾保湿80％～90％，遮荫75％～85％，保温20～25℃培养。