[发明专利]一种磁控溅射技术制备的新型超硬TiB2/c-BN纳米多层薄膜无效
| 申请号： | 201010133721.1 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101798678A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李德军;董磊;刘广庆;刘孟寅;邓湘云 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;B32B9/00 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型超硬TiB2/c-BN纳米多层膜及其制备方法与应用，它是在Al2O3(111)基底上先沉积40-70nm的TiB2作为过渡层，再交替沉积h-BN和TiB2制备纳米多层薄膜，每调制周期层厚为20-25nm，多层膜的调制周期为8-32层，总层厚为500-800nm；其中h-BN∶TiB2的调制比1∶3～1∶16。本发明的新型超硬TiB2/c-BN纳米多膜具有高硬度、较低内应力，摩擦系数小，高膜基结合力的优良综合特性。新型超硬TiB2/c-BN纳米多层膜在刀刃具、模具表面强化薄膜中将有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 技术 制备 新型 tib sub bn 纳米 多层 薄膜 | ||
【主权项】：
一种TiB2/c-BN纳米多层膜，其特征在于在Al2O3(111)基底上先沉积40-70nm的TiB2作为过渡层，再交替沉积h-BN和TiB2制备纳米多层薄膜，每调制周期层厚为20-25nm，多层膜的调制周期为8-32层，总层厚为500-800nm；其中h-BN∶TiB2的调制比1∶3～1∶16，薄膜最表层为TiB2层。
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