[发明专利]多波长半导体激光器和光学记录/再现装置有效
| 申请号： | 201010134278.X | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101841126B | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 高桥义彦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了多波长半导体激光器和光学记录/再现装置。该多波长半导体激光器能够在预定的范围中容易地设定不同振荡波长在主出射端面的反射率。该多波长半导体激光器包括：多个端面发光型半导体发光部，该多个端面发光型半导体发光部具有不同的振荡波长；和反射膜，公共地设置在半导体发光部的主出射端面。反射膜从半导体发光部开始依次包括：具有折射率n1的第一电介质膜、具有折射率n2的第二电介质膜和具有折射率n3的第三电介质膜，并且折射率n1、n2和n3满足关系n3＜n1＜n2。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体激光器 光学 记录 再现 装置 | ||
【主权项】：
一种多波长半导体激光器，包括：多个端面发光型半导体发光部，该多个端面发光型半导体发光部具有不同的振荡波长；和反射膜，公共地设置在所述半导体发光部的主出射端面，所述反射膜的反射率在25％以上到35％以下；其中所述反射膜从所述半导体发光部开始依次包括：具有折射率n1的第一电介质膜、具有折射率n2的第二电介质膜和具有折射率n3的第三电介质膜，并且所述折射率n1、n2和n3满足关系n3＜n1＜n2；其中所述第一电介质膜、所述第二电介质膜和所述第三电介质膜具有相同的光学膜厚。
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