[发明专利]石墨烯/导电高分子复合膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010134300.0 申请日: 2010-03-26
公开(公告)号: CN101798462A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 李亮;潘杰;魏玉研;鄢国平;喻湘华 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C08L79/02 分类号: C08L79/02;C08K3/04;C08G73/02;C08J5/18;H01B1/12;H01B1/04
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及石墨烯/导电高分子复合膜及其制备方法,包括可由下述反应得到的产物:1)利用石墨,通过化学氧化方法制备氧化石墨;2)在含有单体的酸性溶液中,加入过硫酸铵氧化剂,制得导电高分子;3)将氧化石墨与导电高分子,在N-甲基吡咯烷酮中超声分散,再向其中加入还原剂,搅拌;4)将步骤3)所得溶液涂覆在基板表面成膜,洗涤,干燥;5)重复步骤4),直到达到所需厚度。本发明已达到的技术效果:1)所形成的石墨烯/导电高分子复合膜具有良好的导电、抗静电性能,电导率为1×10-3-1×102S/cm;2)石墨烯与导电高分子的共扼结构,导致二者具有很高的相容性;3)复合膜厚度可控;4)制备方法条件简单,容易操作。
搜索关键词: 石墨 导电 高分子 复合 及其 制备 方法
【主权项】:
石墨烯/导电高分子复合膜,其特征在于包括可由下述反应得到的产物:1)利用石墨,通过化学氧化方法制备氧化石墨;2)在含有1-5mmol单体的酸性溶液中,加入1-5mmol的过硫酸铵为氧化剂,制得导电高分子;3)将步骤1)和步骤2)得到的氧化石墨与导电高分子按照质量比1-100∶1-100,在N-甲基吡咯烷酮中超声分散30-90分钟,再向其中加入还原剂,搅拌24-48小时;4)将步骤3)所得溶液涂覆在基板表面成膜,洗涤,干燥;5)重复步骤4),直到达到所需厚度。
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