[发明专利]电极接触结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010134380.X | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101814479A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 大野诚治;木下卓 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可靠性高的电极接触结构。在由在GaAs衬底上形成的金电极、在该金电极的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过该接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线构成的电极接触结构中，金电极上的铝布线的厚度最大的部分与厚度最小的部分的差，与绝缘膜的厚度大致相等或比绝缘膜的厚度小。且，金电极的膜厚为0.1μm～0.2μm。或者，将金电极的周边部分与上述绝缘膜的重合宽度控制在1μm以下。或者接触孔的大小至少在16μm2以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电极接触结构，包括：金电极、在上述金电极上的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过上述接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线，其中：上述金电极为金系合金膜、在该金系合金膜上形成的阻挡金属膜、和在该阻挡金属膜上形成的金膜的层结构，总膜厚为0.1μm～0.2μm。
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