[发明专利]驱动GaN基半导体发光元件、平面光源装置和发光装置的方法有效
| 申请号： | 201010135162.8 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101853908A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 西中逸平 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了驱动GaN基半导体发光元件的方法、驱动图像显示装置的GaN基半导体发光元件的方法、驱动平面光源装置的方法和驱动发光装置的方法，其中，该GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成，该方法包括以下步骤：通过开始注入载流子而开始发光；然后在发光亮度值变成常数之前，停止注入载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 gan 半导体 发光 元件 平面 光源 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种驱动GaN基半导体发光元件的方法，所述GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成，所述方法包括以下步骤：通过开始注入载流子而开始发光；然后在发光亮度值变成常数之前，停止注入载流子。
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