[发明专利]基于聚吡咯膜的硝酸根离子选择性电极及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于聚吡咯膜的硝酸根离子选择性电极，特征是：采用在柱形的PTFE套管底部安装玻碳棒，在PTFE套管的内部设置铜棒，在玻碳棒的下表面设有一层掺杂硝酸根聚吡咯薄膜，所述玻碳棒的上表面与铜棒相连，在铜棒上端设置引出线。制备方法包括如下步骤：(1)去除玻碳棒表面的氧化层，将玻碳棒嵌入PTFE套管的底部；(2)在PTFE套管内安装铜棒，在铜棒的上端连接引出线制成电极；(3)玻碳棒的下表面在吡咯溶液和硝酸钠溶液的混合溶液中进行电镀聚合镀膜，(4)将电镀敏感膜后的电极在硝酸钠溶液中活化处理。本发明所述的硝酸根离子选择电极具有良好的稳定性、重现性、选择性和使用寿命长等优点，可广泛用于硝酸根离子浓度的分析与测定。

主权项

一种基于聚吡咯膜的硝酸根离子选择性电极，其特征是：采用在柱形的PTFE套管(1)底部安装玻碳棒(3)，在PTFE套管(1)的内部设置铜棒(2)，在玻碳棒(3)的下表面设有一层掺杂硝酸根聚吡咯薄膜(4)，所述玻碳棒(3)的上表面与铜棒(2)相连，在铜棒(2)上端设置引出线(5)。