[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

半导体器件的制造方法包括：准备半导体晶片，具备被分别沿着第1方向及第2方向延伸的多个切割道包围的各半导体器件形成区域，在上述各半导体器件形成区域形成有多个柱状电极以及设在该柱状电极的周围的密封膜；对于分别最接近于沿着第1方向延伸的一对切割道的多个柱状电极、或者分别最接近于沿着第2方向延伸的一对切割道的多个柱状电极，在向该半导体器件形成区域的内侧偏离并且与该柱状电极相接的位置形成焊料膏层；通过回流，将与分别最接近于沿着第1方向延伸的一对切割道的多个柱状电极接触的焊料膏层、或者与分别最接近于沿着第2方向延伸的一对切割道的多个柱状电极接触的焊料膏层向该半导体器件形成区域的外侧移动来形成焊料凸块。

主权项

一种半导体器件的制造方法，具有以下工序：准备半导体晶片，该半导体晶片具备被分别沿着第1方向及与上述第1方向不同的第2方向延伸的多个切割道包围的各半导体器件形成区域，在上述各半导体器件形成区域形成有多个柱状电极、以及设在该柱状电极的周围的密封膜；对于上述半导体器件形成区域的上述多个柱状电极之中的、与沿着上述第1方向延伸的一对上述切割道分别最接近的多个上述柱状电极、或者与沿着上述第2方向延伸的一对上述切割道分别最接近的多个上述柱状电极，在向该半导体器件形成区域的内侧偏离并且与该柱状电极相接的位置，形成焊料膏层；通过回流，使相接于与沿着上述第1方向延伸的一对上述切割道分别最接近的多个上述柱状电极的上述焊料膏层、或者相接于与沿着上述第2方向延伸的一对上述切割道分别最接近的多个上述柱状电极的上述焊料膏层，向该半导体器件形成区域的外侧移动，来形成焊料凸块。