[发明专利]MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010135707.5 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102198925A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;韩凤芹 | 申请（专利权）人： | 江苏丽恒电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 211009 江苏省镇江高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。本发明提供MEMS器件的形成方法与传统半导体形成工艺兼容，不需要重新研发新型材料和新的制备工艺，制备的MEMS器件耐压性能高，栅电极漏电流低。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。
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