[发明专利]超分子结构5,5＇-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010136201.6 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101817937A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李殿卿;崔国静 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08K13/02 | 分类号： | C08K13/02;C08K3/22;C08K5/375;C08L23/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 何俊玲 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料及其制备方法。超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层材料，简写为ZnAl-TDSA-LDHs，其分子式为[Zn2+1-xAl3+x(OH)2]x+(C14H8O6S)2-x/2·mH2O。该紫外吸收材料的制备方法是以水滑石ZnAl-NO3-LDHs为前体，采用离子交换法将5，5′-硫基双水杨酸插入到ZnAl-NO3-LDHs层间，组装得到晶相结构良好、性能优异的ZnAl-TDSA-LDHs。该ZnAl-TDSA-LDHs材料对250～400nm波段范围的紫外线吸收率超过80％，具有优良的紫外吸收能力，是一种良好的紫外吸收材料。该材料在330℃才开始层间阴离子的燃烧分解，430℃达到放热峰的峰值温度，具有很强的热稳定性能，是一种优良的光热稳定剂。将ZnAl-TDSA-LDHs添加到聚丙烯等聚合材料中可大幅度提高其抗紫外光降解的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 超分子结构 硫基双 水杨酸 紫外 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超分子结构5，5′-硫基双水杨酸插层紫外吸收材料，简称ZnAl-TDSA-LDHs，其分子式为[Zn2+1-xAl3+x(OH)2]x+(C14H8O6S)2-x/2·mH2O，其中Zn2+/Al3+摩尔比为2～3∶1，x的值随摩尔数而变化，0≤x≤1，m为层间结晶水分子数，0.65≤m≤0.90。
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