[发明专利]基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制作方法

摘要

本发明涉及一种基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制备方法。该方法包括以下步骤：在衬底上生长一层GaN基模板；在该GaN基膜板上沉积铝层；用在铝层表面铺设微球层；在衬底上进行金属蒸镀；通过超声震动去除单分子层结构的微球层，得到图形化的金属层；利用该金属层作为掩膜，在铝层表面刻蚀出凹坑；去除金属层并形成多孔氧化铝层；利用多孔氧化铝层作为掩膜，将氧化铝层上的图形转移到GaN基模板上；去除多孔氧化铝层，得到GaN基材料图形衬底模板。本发明是一种工艺简单，成本较低，图形凹坑大小及间距可控的微米级GaN基图形衬底制备方法。

主权项

一种基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：在衬底上生长一层用于氮化物外延生长的GaN基模板；步骤2：在该GaN基模板上沉积铝层；步骤3：在铝层表面铺设微球，形成单分子层结构的微球层；步骤4：在衬底上进行金属蒸镀，蒸镀的金属通过微球之间的空隙沉积到铝层的表面；步骤5：通过超声震动去除单分子层结构的微球层，得到图形化的金属层；步骤6：利用该金属层作为掩膜，通过化学腐蚀或等离子干法刻蚀，在铝层表面刻蚀出凹坑；步骤7：去除金属层，并对铝层通过阳极氧化形成多孔网状氧化铝层；步骤8：利用氧化铝层作为掩膜，通过刻蚀方式将氧化铝层上的图形转移到GaN基模板上；步骤9：最后去除多孔氧化铝层，得到GaN基材料图形衬底模板。