[发明专利]密封微机电系统装置及其制造方法与封装结构有效

专利信息
申请号: 201010136543.8 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN102107846A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 李建兴;谢聪敏;刘志成 申请(专利权)人: 鑫创科技股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 魏晓刚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种密封微机电系统(MEMS)封装,其包含CMOS MEMS芯片和第二衬底。CMOS MEMS芯片具有第一衬底、结构介电层、CMOS电路和MEMS结构。结构介电层安置在第一结构衬底的第一侧上。结构介电层具有用于电互连的互连结构,且还具有保护结构层。第一结构衬底具有至少一孔。所述孔位于保护结构层下方以形成至少一腔室。腔室在第一结构衬底的第二侧中暴露到环境。腔室还包括MEMS结构。第二衬底在腔室上方粘附到第一衬底的第二侧以形成密封空间,且MEMS结构位于所述空间内。
搜索关键词: 密封 微机 系统 装置 及其 制造 方法 封装 结构
【主权项】:
一种密封微机电系统(MEMS)封装,其包括:CMOS MEMS芯片,其具有为结构性的第一衬底和位于所述第一衬底的第一侧上的结构介电层,其中所述结构介电层包括互连结构和保护结构层,其中所述第一衬底包括至少一孔且所述保护结构层位于所述孔上方以形成至少一腔室,其中所述腔室在所述第一衬底的第二侧处,且MEMS结构位于所述腔室内部,所述互连结构包括输出垫结构以耦合出所述CMOS MEMS芯片的电信号;以及第二衬底,其在所述腔室上方粘附到所述第一衬底的第二侧以使所述腔室形成密封空间,其中所述MEMS结构位于所述密封空间内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鑫创科技股份有限公司,未经鑫创科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010136543.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top