[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法无效
| 申请号： | 201010136569.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101840152A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 寺井护;萩原琢也 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗蚀剂图案形成方法，其目的在于：提供方法简单、成本低、可进行高速扫描且赋予高疏水性的抗蚀剂图案形成方法，用于得到消除了显影缺陷的电子器件。本发明的抗蚀剂图案形成方法的特征在于，按如下顺序包含下述工序：对抗蚀剂膜实施液浸曝光的工序、将实施了液浸曝光的抗蚀剂膜溶于碱性显影液的工序，通过碱浸渍使已溶于碱性显影液的抗蚀剂膜显影的工序、对显影后的抗蚀剂膜进行纯水冲洗处理的工序，其中，溶于碱性显影液的工序不是将已进行了液浸曝光的抗蚀剂膜进行紫外线照射，而是将其暴露在臭氧气体中(以下有时也称“臭氧处理”)。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种抗蚀剂图案形成方法，其特征在于，按如下顺序包括以下工序：对抗蚀剂膜实施液浸曝光的工序；将进行了液浸曝光的抗蚀剂膜溶于碱性显影液的工序；通过碱浸渍将已溶于碱性显影液的抗蚀剂膜进行显影的工序；及对显影后的抗蚀剂膜进行纯水冲洗处理的工序；其中，所述溶于碱性显影液的工序不是将已进行液浸曝光的抗蚀剂膜进行紫外线照射，而是将其暴露在臭氧气体中。
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