[发明专利]一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种沟槽型功率MOS器件及其制造方法。其包括有源区和终端保护区；第一导电类型注入层与第二导电类型层均贯穿于整个终端保护区，终端保护区采用沟槽结构，在终端保护区内形成第一沟槽；所述第一沟槽内壁生长有绝缘氧化层，第一沟槽内两侧分别设置第一侧壁保护与第二侧壁保护，所述第一侧壁保护与第二侧壁保护利用绝缘介质层相隔离；第一侧壁保护邻近所述有源区，第二侧壁保护远离所述有源区；第一侧壁保护为零电位；终端保护区对应于第二侧壁保护的上方设置第二金属层第二金属层将第二侧壁保护与第一导电类型层衬底连接成等电位。本发明降低了MOS器件的制造成本，提高了MOS器件的耐压能力。

主权项

一种沟槽型功率MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述终端保护区包括分压环和截止环；所述有源区采用沟槽结构，有源区通过元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；其特征是：在所述MOS器件的截面上，所述终端保护区内采用沟槽结构，终端保护区内设置第一沟槽，所述第一沟槽形成终端保护区的分压环和截止环；所述第一沟槽位于第二导电类型层，深度伸入第二导电类型下方的第一导电类型外延层；在所述MOS器件的截面上，所述第一导电类型注入层与第二导电类型层均贯穿于整个终端保护区；第一导电类型注入层位于第二导电类型层及第一沟槽槽底的上方，且被第一沟槽所述分割；在所述MOS器件的截面上，所述第一沟槽内壁生长有绝缘氧化层，在生长有绝缘氧化层的第一沟槽内的两侧分别设置第一侧壁保护与第二侧壁保护，所述第一侧壁保护与第二侧壁保护利用绝缘介质层相隔离；所述绝缘介质层包括第一绝缘介质层与第二绝缘介质层；所述第一绝缘介质层位于第二绝缘介质层层的下方；所述第一侧壁保护邻近所述有源区，第二侧壁保护远离所述有源区；所述终端保护区上覆盖有第二绝缘介质层；所述MOS器件电压反向偏置时，第一侧壁保护为零电位，终端保护区对应于第二侧壁保护的上方设置第二金属层，第二金属层覆盖在第二绝缘介质层上，所述第二金属层将第二侧壁保护与第一导电类型层衬底连接成等电位；所述第一导电类型层包括位于半导体基板底部的第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上面的第一导电类型外延层，以及位于第一导电类型外延层上部的第一导电类型注入层；所述第二导电类型层位于第一导电类型外延层的上部。