[发明专利]发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法无效
| 申请号： | 201010137154.7 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102214761A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王会恒 | 申请（专利权）人： | 华上光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 钱凯 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒结构及其底部电极制造方法，其发光二极管晶粒结构，包括：基材；发光层，形成于该基材顶面；至少一底面电极，形成于基材底面；至少一顶面电极，形成于发光层顶面；至少一侧面电极，形成于基材底部侧面；其底部电极制造方法，发光二极管晶粒结构包括：基材；发光层，形成于基材顶面；至少一底面电极，形成于基材底面；至少一顶面电极，形成于发光层顶面；及至少一侧面电极，形成于基材底部侧面；其中，先在发光二极管晶圆的基材底面开出一定深度的沟槽，再使用金属镀膜技术将金属膜镀至底面及沟槽内部，而后沿着沟槽将晶圆切成晶粒。本发明具有提升固晶胶与发光二极管晶粒电性连接品质的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 结构 及其 底部 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒结构，其特征在于，包括有：一基材；一发光层，形成于该基材顶面；至少一底面电极，形成于该基材底面；至少一顶面电极，形成于该发光层顶面；至少一侧面电极，形成于该基材底部侧面。
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