[发明专利]降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构无效
| 申请号： | 201010137778.9 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101820041A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 汤英文;江风益;方文卿;王立 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构，用于解决镓回熔的问题，以及降低外延层与硅衬底之间的应力，以提高芯片的良率。本发明包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 衬底 led 外延 应力 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
一种降低硅衬底LED外延应力的方法，包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。
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