[发明专利]共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法

摘要

本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。

主权项

一种共用金属层的肖特基二极管和相变存储器阵列制造方法，其特征在于包括步骤：1)在半导体衬底上，通过离子注入，形成具有重掺杂层的夹层结构，其中，所述重掺杂层为夹层；2)对所述夹层结构进行光刻以形成分离的第一线阵，其中，光刻的深度超过所述重掺杂层；3)在所述第一线阵根部形成多个重掺杂的区域，以便电学隔离所述第一线阵包含的各线；4)在形成了重掺杂区域的结构上采用化学气相沉积法沉积绝缘材料，并通过化学机械抛光法及平坦化操作使所述绝缘材料填充在所述第一线阵中；5)对填充了绝缘材料的结构进行离子注入，使处于表面的半导体材料轻度掺杂形成轻度掺杂层；6)在所述轻度掺杂层上覆盖半导体材料并用光刻工艺刻蚀出多个第一窗口，其中，各第一窗口都处于所述轻度掺杂层上；7)在各第一窗口中填充能与所述轻度掺杂层形成肖特基势垒的金属材料，以形成作为相变存储器的各金属电极；8)在具有金属电极的结构上沉积仅具有一电极的各相变存储器结构，以使所述金属电极成为各相变存储器结构的另一电极；9)在形成了相变存储器结构的结构上沉积金属层以形成第二线阵。