[发明专利]一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法有效

专利信息
申请号: 201010138494.1 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN102215051A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 蒋宇 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H04B5/00 分类号: H04B5/00;G06K7/00;G07F7/08
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法,包括:设置第一门限为启动交易的距离对应的低频磁场强度值,第二门限为低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值,第三门限为最远交易距离对应的低频磁场强度值;射频SIM卡对读卡器发出的低频磁场强度进行检测,判断低频磁场强度是否大于或等于第二门限,若是则接收并存储低频磁场信息;射频SIM卡进一步判断低频磁场强度是否大于或等于第一门限,若是则射频SIM卡启动交易流程;在交易流程中,射频SIM卡判断低频磁场强度是否小于第三门限,若是则中断本次交易。本发明缩短了射频SIM卡的启动交易时间,同时减少了用户刷卡时间,提升了用户体验。
搜索关键词: 一种 利用 低频 通信 射频 sim 启动 交易 距离 门限 判断 方法
【主权项】:
一种利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法,其特征在于,所述射频SIM卡通过低频通道与其对应的读卡器进行近距离通信的距离控制,通过射频通道与所述读卡器进行交易,所述利用低频磁通信的射频SIM卡启动交易的距离门限判断方法包括:步骤a,设置第一门限为启动交易的距离对应的低频磁场强度值,第二门限为低频磁场有效通信距离对应的低频磁场强度值,第三门限为最远交易距离对应的低频磁场强度值,所述第一门限大于或等于第三门限,所述第三门限大于或等于第二门限;步骤b,射频SIM卡不断对读卡器发出的低频磁场强度进行检测,判断该低频磁场强度是否大于或等于所述第二门限,若是则接收并存储低频磁场信息;步骤c,射频SIM卡进一步判断读卡器发出的低频磁场强度是否大于或等于所述第一门限,若是则射频SIM卡启动交易流程;步骤d,在所述交易流程中,射频SIM卡检测读卡器发出的低频磁场强度并判断其是否小于所述第三门限,若是则中断本次交易。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国民技术股份有限公司,未经国民技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010138494.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top