[发明专利]衬底的蚀刻方法以及系统

摘要

本发明提供一种衬底的蚀刻方法以及系统，在对在硅的表面上形成有硅氧化膜的衬底进行蚀刻的方法中，能够将接触电阻降低。将包含卤素的气体和碱性气体供应到衬底(W)上，生成使包含卤素的气体、碱性气体与硅氧化膜发生化学反应得到的凝结层(105)，从而对硅氧化膜(104)进行蚀刻。将包含从F2气、XeF2气以及ClF3气的组中选择的至少一者的硅蚀刻气体供应到衬底W上，通过硅蚀刻气体对衬底(W)上的硅进行蚀刻。在结束硅氧化膜(104)的蚀刻和硅的蚀刻之后，将衬底上的(105)凝结层加热而去除该凝结层。

主权项

一种蚀刻方法，对在硅的表面上形成有硅氧化膜的衬底进行蚀刻，所述蚀刻方法包括：硅氧化膜蚀刻工序，将碱性气体和包含卤素的气体供应到衬底上，生成使所述包含卤素的气体、所述碱性气体与硅氧化膜发生化学反应得到的凝结层，从而对硅氧化膜进行蚀刻；硅蚀刻工序，将包含从F2气、XeF2气以及ClF3气的组中选择的至少一者的硅蚀刻气体供应到衬底上，通过所述硅蚀刻气体对硅进行蚀刻；以及凝结层去除工序，在结束所述硅氧化膜蚀刻工序和所述硅蚀刻工序之后，将衬底上的所述凝结层加热而去除该凝结层。