[发明专利]提高东方百合试管鳞茎当年抽茎率的方法

摘要

本发明公开了提高东方百合试管鳞茎当年抽茎率的方法，属于植物组培快繁技术领域。该方法包括：培养基的配制，种源处理与灭菌，鳞茎芽的诱导培养，鳞茎芽的增殖培养，试管鳞茎的膨大培养，试管鳞茎的冷藏，试管鳞茎的定植及栽培管理等步骤。本发明培育成的试管鳞茎出苗快，长势旺，其直径0.8~1.2cm，根系10~20条/粒，鲜重0.8~1.2g/粒，定植成活率达95％以上，当年抽茎率由常规的5％以下提高至60％以上，加快了鳞茎生长膨大速度，使培育合格种球的周期缩短1~2年。本发明可在东方百合种球生产企业中推广应用。

主权项

提高东方百合试管鳞茎当年抽茎率的方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：(1)培养基的配制：包括基本培养基和组培各阶段培养基的组分与各组分每升所含重量为：a)基本培养基：其中，诱导培养基为蔗糖30～50g/L，琼脂粉4～5g/L，pH5.6～5.8的MS培养基；增殖培养基为蔗糖50～60g/L，琼脂粉4～5g/L，pH5.6～5.8的3/5MS培养基；膨大培养基为蔗糖60～75g/L，琼脂粉4～5g/L，pH5.6～6.0的1/2MS培养基；b)诱导培养基I：MS+6-BA 1.0～2.0mg/L+IBA 0.1～0.5mg/L+AC1.0～3.0mg/L；c)诱导培养基II：MS+6-BA 0.5～1.0mg/L+IBA 0.1～0.5mg/L；d)增殖培养基：3/5MS+6-BA 0.2～1.0mg/L+IBA 0.1～0.5mg/L；e)膨大培养基：1/2MS+NAA 0.1～0.5mg/L+PP333 1～10mg/L+甘露醇1.0～5.0g/L+AC 1.0～5.0mg/L；(2)种源处理与灭菌：将种源鳞茎先5℃低温处理3～4个月打破其休眠；再用透气塑料薄膜包裹该种源鳞茎并置于潮湿泥炭中，置50℃培养箱内热处理70～90min；剥离外层鳞片，取其内4～6cm长的种源鳞茎芽，用1％洗洁精液浸泡10min，经清水冲洗后进行种源鳞茎芽灭菌处理，备用；(3)鳞茎芽的诱导培养：取灭菌后种源鳞茎芽剥取其内0.2～0.3mm的茎尖作为外植体，接种于诱导培养基I，在温度20±1℃，光照12h/d，光照强度1000～3000Lx的环境条件下培养50～60d至诱导出鳞茎芽；将该鳞茎芽切去顶部叶片后纵向切成2块，转接至诱导培养基I，在同上环境条件下培养60～90d诱导形成丛生状鳞茎芽；放入光照培养箱内按30℃、35℃、38℃的顺序，每3d变换一档进行循环热处理50～60d后，剥取其内0.2～0.3mm的茎尖作为外植体接种于诱导培养基II进行二次诱导培养，在同上环境条件下培养60～90d至诱导形成鳞茎芽后，置3～6℃低温处理45～60d，以恢复该鳞茎芽的生长活性；(4)鳞茎芽的增殖培养：将低温处理后的鳞茎芽，切去叶片和部分基部组织后纵切成4～6块接种在增殖培养基上，在20±1℃、黑暗条件下培养60～90d至形成鳞茎芽；切除其根系后再纵向切成4～6块转接在增殖培养基上，在同上条件下循环培养，直至满足对鳞茎芽的数量需求；(5)试管鳞茎的膨大培养：将步骤(4)鳞茎芽切去芽顶部和部分基部组织，接种在膨大培养基上，在22±2℃和黑暗条件下培养50～60d至形成鳞茎膨大、根系生长良好的试管鳞茎；将温度降至15±2℃、黑暗条件下继续培养30～50d促进其茎和叶原基的分化，至试管鳞茎达到直径0.8～1.2cm，根系10～20条/粒，鲜重0.8～1.2g/粒；(6)试管鳞茎的冷藏：将步骤(5)试管鳞茎用清水洗去琼脂，包裹于经消毒的含水量为60～70％的泥炭中，10～12℃预处理10～20d后，于3～5℃冷藏处理50～60d至打破休眠期；即定植或在1～3℃继续冷藏的20～30d内择时定植；(7)试管鳞茎的定植：选择夏季气候冷凉，海拔在1800～2000米的地区，在避雨和防虫隔离条件下，于4月下旬至5月中旬将步骤(6)冷藏后的鳞茎，定植至消毒基质里，15～20d后始萌芽出苗；(8)栽培管理：定植至出苗期要求13～18℃，并用70％遮阳率的遮阳网遮光；出苗后要求15～25℃下，在夏、秋季中午强光时段用同上遮阳网遮光4～5小时，每7～10d浇1次1000～1500倍的GOLDMAY水溶性系列肥料，其中，出苗期选用N∶P∶K为20∶20∶20专用肥；茎叶生长期选用N∶P∶K为14∶0∶14专用肥，鳞茎膨大期选用N∶P∶K为10∶30∶20专用肥；并定期喷施杀菌和杀虫剂防治病虫害。