[发明专利]层压体的形成方法有效

专利信息
申请号: 201010139007.3 申请日: 2010-03-19
公开(公告)号: CN101841980A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 河口睦行;天谷刚 申请(专利权)人: MEC股份有限公司
主分类号: H05K3/38 分类号: H05K3/38;B32B37/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王月玲;武玉琴
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种即能连续地进行硅烷偶联剂处理工序,也能够容易地维持与由绝缘树脂等所形成的树脂层的粘着性,并且可降低制造成本的层压体的形成方法;本发明涉及一种层压体的形成方法,其连续进行如下工序:硅烷偶联剂处理工序,在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液,使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜;层压工序,在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层,其特征在于,在进行所述硅烷偶联剂处理工序时,利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析,当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时,一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分而将所述峰面积管理在规定范围内,一面进行硅烷偶联剂处理。本发明可以防止浪费液体交换,降低制造成本。
搜索关键词: 层压 形成 方法
【主权项】:
一种层压体的形成方法,其连续进行如下工序:硅烷偶联剂处理工序,在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液,使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜;层压工序,在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层,其特征在于,在进行所述硅烷偶联剂处理工序时,利用反射吸收光谱法的傅立叶转换红外线光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析,当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时,一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分,而将所述峰面积管理在规定范围内,一面进行硅烷偶联剂处理。
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