[发明专利]磁阻传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器有效
| 申请号： | 201010139380.9 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102201243A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 梁钊明;田中浩介;佐藤一树;梁卓荣;丁菊仁;倪荣光;关韵妍;李文杰 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司;TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/48;G11B5/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层。所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层。所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边以及与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于第二边的宽度。采用本发明的磁阻传感器，能够改善MR高度控制的性能；并改善ESD性能、降低PCN及RTN从而获得更稳定的性能。本发明还公开了一种磁头、磁头折片组合及磁盘驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 磁头 组合 硬盘驱动器 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器，包括：第一屏蔽层、第二屏蔽层、形成于所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层之间的磁阻元件以及一对分别放置于所述磁阻元件两边的硬磁层；所述磁阻元件包括形成于所述第一屏蔽层上的反铁磁层、形成于所述反铁磁层上的被钉扎层以及形成在所述被钉扎层和所述第二屏蔽层之间的自由层；其特征在于：所述自由层为漏斗形，所述自由层具有面对空气承载面的第一边和与所述第一边相对的第二边，所述第一边的宽度小于所述第二边的宽度。
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