[发明专利]一种氯化亚铜晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201010139513.2 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102191546A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 潘建国;赵玲燕;崔玉杰;陈素珍;陈红兵;李星 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氯化亚铜晶体的生长方法，属于光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长领域，尤其是涉及一种作为光电晶体材料。该方法使用含卤离子的离子液体为生长溶剂，采用降温的方法生长晶体。生长设备简单、工艺易控制。所生长出的晶体晶形完整、缺陷少、尺寸较大。生长的晶体在激光调Q、光电子技术等方面具有很重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氯化 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氯化亚铜电光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为CuCl，属于立方晶系。分子量为：99
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010139513.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种支架焊接快速压装工艺及专用压具
- 下一篇：通信系统及方法
