[发明专利]用于硅通孔的阻挡件有效
| 申请号： | 201010139580.4 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101847616A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;吴文进 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于硅通孔的阻挡件。一个实施例包括在衬底中形成开口。衬垫形成在开口中，并且包含碳或氟的阻挡层沿开口的底部和侧壁形成。晶种层形成在阻挡层的上方，并用导电填物填充TSV开口。另一实施例包括使用原子层沉积形成的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅通孔 阻挡 | ||
【主权项】：
一种半导体器件包括：衬底，具有开口；衬垫，沿所述开口的侧壁形成；阻挡层，沿所述开口的侧壁覆盖在所述衬垫上，所述阻挡层包含碳或氟；晶种层，沿所述开口的侧壁覆盖在所述阻挡层上；以及导电材料，形成在所述晶种层上，并填充所述开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010139580.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：具有双向阈值开关的非易失性存储器
