[发明专利]制造Ⅲ族氮化物半导体的方法有效
| 申请号： | 201010139890.6 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101851785A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤峻之;永井诚二;森勇介;北冈康夫;岩井真;东原周平 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;国立大学法人大阪大学;日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造III族氮化物半导体的方法，其中将至少包含III族金属、碱金属和掺杂剂的熔融混合物与至少包含氮的气体反应，由此在种晶上生长III族氮化物半导体，其中所述方法包括：在由碱金属形成相应的碱金属液体之前，由III族金属形成相应的III族金属液体；通过将所述III族金属液体与掺杂剂混合来形成熔融混合物；接着，由所述碱金属形成所述碱金属液体；和使所述碱金属液体与所述III族金属和所述掺杂剂的所述熔融混合物接触。
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