[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法、图像拾取装置和电子装置无效
申请号: | 201010139907.8 | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN101853866A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 中田征志;伊泽慎一郎;山下和芳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法、图像拾取装置和电子装置。固态图像拾取装置包括像素部分,所述像素部分由沿半导体基底的行和列方向排列的单元像素限定。每个单元像素包括:形成在半导体基底上并将入射光线转换为信号电荷的光电转换器、形成在光电转换器上方并将入射光线引导到光电转换器的波导,以及形成在波导上方并且将入射光线引导到波导的光线入射侧一端的微透镜。波导具有从光线入射侧一端到光线出射侧一端具有恒定的横截面的柱形主体,并且设置为使得从波导的光线入射侧一端上的微透镜入射的入射光线的射线中心与波导的中心轴对齐。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 电子 | ||
【主权项】:
一种固态图像拾取装置,包括:像素部分,由沿半导体基底的行和列方向排列的单元像素限定,其中,每个所述单元像素包括:光电转换器,形成在所述半导体基底上并将入射光线转换为信号电荷,波导,形成在所述光电转换器上方并将入射光线引导到所述光电转换器,以及微透镜,形成在所述波导上方并将入射光线引导到所述波导的光线入射侧一端,并且其中,所述波导具有柱形主体,所述柱形主体从所述光线入射侧一端到光线出射侧一端具有恒定的横截面,并且所述波导设置为使得从所述微透镜入射到所述波导的所述光线入射侧一端上的所述入射光线的射线中心与所述波导的中心轴对齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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