[发明专利]Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

一种III族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法，所述发光元件包括：作为III族氮化物化合物半导体的单晶层的第一层，所述第一层在缓冲层上形成并且包括穿透位错；在第一层上形成的III族氮化物化合物半导体的第二层，所述第二层包括凹坑和平坦部，其中所述凹坑从穿透位错延续，并且具有沿所述第二层的生长方向扩展的与衬底平行的截面；发光层，其包括对应于第二层的平坦部和凹坑的平坦部和凹坑。发光层的凹坑中的铟浓度小于发光层的平坦部中的铟浓度。与其中不存在凹坑的情况相比，其发光光谱宽度得到扩展。

主权项

一种III族氮化物化合物半导体发光元件，其具有由至少包含铟的III族氮化物化合物半导体形成的发光层，所述III族氮化物化合物半导体发光元件包括：衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；作为III族氮化物化合物半导体的单晶层的第一层，所述第一层在所述缓冲层上形成并且包括穿透位错；在所述第一层上形成的III族氮化物化合物半导体的第二层，所述第二层包括凹坑和平坦部，其中所述凹坑从所述穿透位错延续、在所述第二层生长期间形成、并且具有沿着所述第二层的生长方向扩展的与所述衬底平行的截面；发光层，所述发光层在所述第二层上同时沿着所述第二层的凹坑和所述第二层的平坦部形成从而形成凹坑和平坦部，所述发光层的凹坑中的铟浓度小于所述发光层的平坦部中的铟浓度；在所述发光层上形成的III族氮化物化合物半导体的第三层；和与其中不存在凹坑的情况下相比发光光谱宽度扩展。