[发明专利]一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜材料无效
| 申请号： | 201010140443.2 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101807611A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 薛庆忠;马明;陈惠娟;吕成;夏丹 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学(华东) |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜材料，是在厚度为0.5～1.0毫米的单晶硅片上溅射一层厚度为20～200纳米的薄膜，该薄膜为掺杂原子数含量为0～5％钯的碳薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料。该材料具有光生伏特效应，可用于制造太阳能电池和光敏传感器件，所制造的太阳能电池具有较高的转换效率，而且生产工艺简单，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有光 效应 掺杂 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜材料，其特征是，厚度为0.5～1.0毫米的单晶硅片上溅射一层厚度为20～200纳米的薄膜，该薄膜为掺杂原子数含量为0～5％钯的碳薄膜，制成钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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