[发明专利]硅量子点太阳能电池及其制备方法

摘要

硅量子点太阳能电池属于太阳能电池领域的一种新型硅量子点太阳能电池，其特征在于在传统晶体硅电池的pn结之上加入硅量子点层。所述太阳能电池的包括如下结构：在制绒的p型(或n型)晶体硅衬底上扩散三氯氧磷(或三溴化硼)，然后制备一层含有n型(或p型)硅量子点的二氧化硅层，最后在正反两面分别加上银正电极，嵌有银铝背电极的铝背电场。此电池结构简单，光吸收能力强，光生电流大，且制备步骤与现有的晶体硅太阳能电池的制备工艺兼容，为提高现有晶体硅电池的转换效率提高了一种很好的解决途径。

主权项

硅量子点太阳能电池，其特征在于，自下而上依次含有：嵌有银铝背电极的铝背电场Back Surface Field、带金字塔绒面的p型晶体硅衬底、n型晶体硅发射极、含有n型硅量子点的二氧化硅层，银正电极，其中：带金字塔绒面的p型晶体硅衬底，该金字塔的平均高度在6um～8um之间；n型晶体硅发射极，厚度在4nm～20nm之间，掺磷浓度在1015cm-3～1017cm-3之间；含有n型硅量子点的二氧化硅层，厚度在50nm～200nm之间，量子点的直径在1nm～8nm之间，量子点的掺磷浓度在0.01at％～0.25at％之间，at％为原子百分数。