[发明专利]快速恢复二极管有效
| 申请号： | 201010140971.8 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208454A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周振强;江堂华;吴家键;蔡桥斌;杨飒飒 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快速恢复二极管，包括p型半导体层和与p型半导体层接触的n型半导体层，其中，横向上，从p型侧外表面到冶金结处，p型半导体层内的少子寿命逐渐变长、掺杂浓度逐渐降低，从冶金结处到n型侧外表面，所述n半导体层内的少子寿命逐渐变短、掺杂浓度逐渐增加。该快速恢复二极管通过控制掺杂浓度和少子寿命来获取具有较好的正向恢复特性。本发明还提供另一种快速恢复二极管，也通过控制P型半导体层和n型半导体层中的掺杂浓度和少子寿命来获取较好的反向恢复特性；本发明还提供另一种快速恢复二极管，也通过控制P型半导体层和n型半导体层中的掺杂浓度和少子寿命来获取同时具有较好的正向恢复特性和反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种快速恢复二极管，包括p型半导体层和与p型半导体层接触的n型半导体层，其特征在于，横向上，从p型侧外表面到冶金结处，p型半导体层内的少子寿命逐渐变长、掺杂浓度逐渐降低，从冶金结处到n型侧外表面，所述n半导体层内的少子寿命逐渐变短、掺杂浓度逐渐增加。
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