[发明专利]采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法有效
申请号: | 201010141024.0 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN101831630A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 王晓峰;段垚;刘祯;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法,包括:步骤1:在金属源化学气相沉积(MVPE)的生长气路上增加一路还原性气路;步骤2:将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟,并加入少量的去离子水或过氧化氢;步骤3:将清洗干净的衬底放入衬底托上;步骤4:生长之前对金属舟进行氧化处理;步骤5:生长掺杂氧化锌,在生长过程中一直开启还原性气路。本发明具有可控掺杂,且具有生长速度快,成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 采用 金属 化学 沉积 技术 制备 掺杂 氧化锌 方法 | ||
【主权项】:
一种采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法,其特征在于,包括:步骤1:在金属源化学气相沉积MVPE的生长气路上增加一路还原性气路;步骤2:将掺杂金属和金属锌分别放入金属舟,并加入少量的去离子水或过氧化氢;步骤3:将清洗干净的衬底放入衬底托上;步骤4:生长之前对金属舟进行氧化处理;步骤5:生长掺杂氧化锌,在生长过程中一直开启还原性气路。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的