[发明专利]一种基于焊接型IGBT与压接型二极管的串联结构模块有效
| 申请号： | 201010141749.X | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101819970A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 温家良;于坤山;荆平 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/40 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于焊接型IGBT与压接型二极管的串联结构模块，属于电力电子半导体器件应用领域，包括：散热器、压接型二极管和焊接型绝缘栅双极型功率管IGBT，多个焊接型绝缘栅双极型功率管IGBT之间串联连接，压接型二极管压接于两个相邻焊接型IGBT之间，焊接型IGBT的串联是第一个IGBT模块的发射极与下一个IGBT模块的集电极相连，通过低感导线进行连接，压接型二极管并联在焊接型IGBT的集电极与发射极之间，用于起到续流以及保护作用。很好的解决了IGBT串联应用时产生的断路失效问题，为IGBT串联应用的实用化指出了一条崭新的技术路径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 焊接 igbt 压接型 二极管 串联 结构 模块 | ||
【主权项】：
一种基于焊接型IGBT与压接型二极管的串联结构模块，包括：散热器、压接型二极管和焊接型绝缘栅双极型功率管IGBT，其特征在于：多个焊接型绝缘栅双极型功率管IGBT之间串联连接，压接型二极管压接于两个相邻焊接型IGBT之间，焊接型IGBT的串联是第一个IGBT模块的发射极与下一个IGBT模块的集电极相连，通过低感导线进行连接，压接型二极管并联在焊接型IGBT的集电极与发射极之间，用于起到续流以及保护作用。
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