[发明专利]具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法

摘要

一种具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤：a)形成一漏极区于一基板内；b)形成至少二个栅极结构于漏极区的上方，并且，形成一本体与至少一源极区于相邻二个栅极结构之间；c)形成一第一介电结构覆盖栅极结构；d)通过第一介电结构，形成至少一接触窗于本体，此接触窗的侧边邻接于源极区，而使源极区裸露于外；e)形成一第二介电结构于接触窗内，第二介电结构并具有至少一第二开口曝露接触窗的部分底面；f)通过第二介电结构蚀刻本体，以形成一窄沟槽延伸至本体下方的漏极区，此窄沟槽的宽度小于接触窗的宽度；以及g)于前述接触窗与窄沟槽内填入一金属层。

主权项

一种具有一肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一漏极区于一基板内；形成至少二个栅极结构于该漏极区的上方，并且，形成一本体与至少一源极区于相邻二该栅极结构之间；形成一第一介电结构覆盖该栅极结构；通过该第一介电结构，形成至少一接触窗于该本体，该接触窗的侧边邻接于该源极区，而使该源极区裸露于外；形成一第二介电结构于该接触窗内，该第二介电结构具有至少一第二开口曝露该接触窗的部分底面；通过该第二介电结构蚀刻该本体，以形成一窄沟槽延伸至该本体下方的该漏极区，该窄沟槽的宽度小于该接触窗的宽度；以及于该接触窗与该窄沟槽内填入一金属层，该金属层电性连接至该源极区，并形成该肖特基二极管于该金属层与该漏极区的接面。