[发明专利]一种抗阻塞高硬度薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 201010142228.6 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102211436A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴赞镐 | 申请（专利权）人： | 素塔电子科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B33/00;B32B9/04;C09D4/02;B29C41/22 |
| 代理公司： | 北京东正专利代理事务所(普通合伙) 11312 | 代理人： | 刘瑜冬 |
| 地址： | 201821 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗阻塞高硬度薄膜及其制备方法，该薄膜包括高分子基层，在该高分子基层的一面或两面上，涂布有平均粒度为0.01～0.5μm的胶体二氧化硅的紫外线硬化涂层，上述薄膜的制备方法为：(a)将平均粒度为0.01～0.5μm的胶体二氧化硅和紫外线硬化组成成分混合，制造混合物的阶段；(b)将(a)步制备混合物，涂布于高分子基层的一面或两面后干燥，使胶体二氧化硅处于涂层表面；(c)对(b)步的涂层照射紫外线使其硬化。利用本发明的技术方案制备的薄膜，在紫外线硬化涂层表面形成微细凹凸，防止了ITO层压时因辊轴运行产生磨擦和静电造成的阻塞现象，而且使紫外线硬化涂层表面的分散稳定化，降低了漫反射带来的较高暗度，使其具有高硬度、高透光率及低暗度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻塞 硬度 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种抗阻塞高硬度薄膜，包括高分子基层，其特征在于，在该高分子基层的一面或两面上，涂布有平均粒度为0.01～0.5μm的胶体二氧化硅的紫外线硬化涂层，形成抗阻塞高硬度薄膜。
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