[发明专利]软开关机电路

摘要

本发明公开了一种软开关机电路，包括：P沟道MOSFET，其源极与外部供电电源连接，栅极通过第一电阻与外部供电电源连接，漏极与系统电源连接；N沟道MOSFET，其源极接地，栅极通过第二电阻接地，漏极与P沟道MOSFET的栅极连接；隔离部件，其第一极与P沟道MOSFET的栅极连接，第二极通过第四电阻与系统电源连接，第三极通过电源键接地；输入I/O口，与隔离部件的第二极连接；输出I/O口，通过第三电阻与N沟道MOSFET的栅极连接，本发明开/关机控制流程为：检测输入I/O口是否为低电平，若为高则程序结束，若为低则将输出I/O口置为高电平或低电平。借此，本发明保证系统关机后彻底切断电源，无待机电流。

主权项

一种软开关机电路，其特征在于，包括：P沟道MOSFET，其具有源极、栅极和漏极，其源极与外部供电电源连接，其栅极通过第一电阻与所述外部供电电源连接，其漏极与系统电源连接；N沟道MOSFET，其具有源极、栅极和漏极，其源极接地，其栅极通过第二电阻接地，其漏极与所述P沟道MOSFET的栅极连接；隔离部件，其包括两只负极连接在一起的二极管，所述两只二极管的正极分别为第一极和第二极，所述两只二极管的负极为第三极，所述第一极与所述P沟道MOSFET的栅极连接，所述第二极通过第四电阻与系统电源连接，所述第三极通过一电源键接地；输入I/O口，与所述隔离部件的第二极连接；输出I/O口，通过第三电阻与所述N沟道MOSFET的栅极连接，所述软开关机电路的开/关机控制流程为：检测所述输入I/O口是否为低电平，若为高电平则程序结束，若为低电平则将所述输出I/O口置为高电平或低电平。