[发明专利]使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流有效
| 申请号： | 201010142475.6 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859599B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥;钟道文;林春荣;王郁仁;王鸿森 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极‑漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 过度 驱动 金属 栅极 提升 磁性 隧道 编程 电流 | ||
【主权项】：
一种操作磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：设置磁阻随机存取存储器单元，所述磁阻随机存取存储器单元包括：磁性隧道结(MTJ)器件；和选择器，包括串联至所述MTJ器件的源极‑漏极路径；向所述选择器的栅极施加过度驱动电压以使所述选择器由截止状态变为导通状态，以完成对所述磁阻随机存取存储器单元的写或读操作；以及向逻辑电路提供正电源电压，所述逻辑电路在与所述磁阻随机存取存储器单元相同的芯片中，其中，所述过度驱动电压高于所述正电源电压，其中，所述选择器和所述逻辑电路中的逻辑MOS器件同时形成，其中，所述选择器和所述逻辑电路中的逻辑MOS器件的栅电极、栅极介电层、源极和漏极区域的材料和厚度不同，并且所述选择器和所述逻辑电路中的逻辑MOS器件的栅极宽度‑长度比不同，该方法，还包括：在施加所述过度驱动电压的周期内，施加流过所述磁阻随机存取存储器单元中的所选一个的磁性隧道结器件的电流；以及在所述周期内，向连接至所述磁阻随机存取存储器单元的所选一个的多条位线中的一条以及连接至所述磁阻随机存取存储器单元的所选一个的多条源极线中的一条分别施加高电压和低电压。
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