[发明专利]高性能半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010142509.1 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102136435A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;马正焜;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 上海卓骋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海明成云知识产权代理有限公司 31232 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造，公开了一种高性能半导体结构的制造方法。本发明中，在采用抗氧化性材料的中间连接层生成后就进行热处理，此后再生成其余的连接层，从而能够在低成本的前提下生产具有大电流能力和低功耗优良特性的半导体器件。所用的抗氧化性材料可以是钛、钽、镍等。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：以半导体材料生成核心结构；依次生成将所述核心结构连接到外部的N个连接层，其中，第1个连接层紧靠所述核心结构，第N个连接层离所述核心结构最远，第N个连接层采用抗氧化性的材料，N为正整数；对所述核心结构和N个连接层的组合体进行热处理，使所述核心结构与第1个连接层的接触部分发生反应；在第N个连接层外，再依次生成M个连接层，其中M为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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