[发明专利]非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法，首先将圆晶片台与溅射靶材一、溅射靶材二的靶面偏心对准，打开真空室，把晶片放置于圆晶片台上；然后关闭真空室，按次序启动机械真空泵和低温真空泵，抽真空至10-8Torr；打开氩气流量计和氧气流量计，用气体调节真空室内部压强10-2-10-3Torr；启动旋转电机，使其以转速为200～500rpm工作；启动交流磁控溅射电源，设置其频率为10～50kHz，电压幅值为200～600V工作；持续工作溅射靶材一、二为10～20min，停止旋转电机，关闭交流磁控溅射电源；再次打开氩气流量计充入氩气Ar，控制真空室内的压强至1个大气压；打开真空室，取出晶片即能得到方块电阻在20～50kΩ/m2的薄膜。本发明能够在晶片上溅射生成均匀的、大面积薄膜。

主权项

一种非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法，步骤如下：步骤一，将圆晶片台[2]与溅射靶材一[5]、溅射靶材二[6]的靶面偏心对准，打开真空室[7]，把晶片放置于圆晶片台[2]上；步骤二，然后关闭真空室[7]，按次序启动机械真空泵和低温真空泵[8]，抽真空至10-8Torr；步骤三，打开氩气流量计[3]和氧气流量计[4]，充入氩气和氧气，氩气流量增加可使薄膜的金属性增强，而氧气流量增加可使薄膜的非金属性增强；步骤四，用气体调节真空室内部压强10-2-10-3Torr；步骤五，启动旋转电机[1]，使其以转速为200～500rpm工作；步骤六，启动交流磁控溅射电源[9]，设置其频率为10～50kHz，电压幅值为200～600V工作；步骤七，持续工作溅射靶材一、二[5、6]为10～20min，停止旋转电机[1]，关闭交流磁控溅射电源[9]；步骤八，再次打开氩气流量计[3]充入氩气Ar，控制真空室[7]内的压强至1个大气压；最后，打开真空室[7]，取出晶片即能得到方块电阻在20～50kΩ/m2的薄膜。