[发明专利]驱动桥接的功率晶体管的半导体装置有效
| 申请号： | 201010143128.5 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101882885A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 清水和宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/538 | 分类号： | H02M7/538;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(HVIC)包含形成于半导体衬底(29)的低电位侧电路(1)、高电位侧电路(2)、假想接地电位焊盘(11)、共同接地电位焊盘(6)及二极管(D3)。低电位侧电路(1)驱动低电位侧功率晶体管(Q1)。高电位侧电路(2)设于高电位区域(HVLR)，驱动高电位侧功率晶体管(Q2)。假想接地电位焊盘(11)，配置在高电位区域(HVLR)，与两功率晶体管(Q2，Q1)的连接节点(PA)耦合，对高电位侧电路(2)供给假想接地电位。共同接地电位焊盘(6)对低电位侧电路(1)及高电位侧电路(2)供给共同的接地电位。二极管的负极与假想接地电位焊盘(11)连接，正极与共同接地电位焊盘(6)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 功率 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(HVIC)，驱动高电位侧及低电位侧功率器件(Q2、Q1)，其中包括：低电位侧电路(1)，设于形成在半导体衬底区域(29)上的低电位区域(77)，该低电位侧电路(1)驱动所述低电位侧功率器件(Q1)；高电位侧电路(2)，设于形成在所述半导体衬底区域(29)上的高电位区域(HVLR、76)，该高电位侧电路(2)被施加高电压而驱动所述高电位侧功率器件(Q2)；假想接地电位焊盘(11)，配置在所述高电位区域，耦合至所述高电位侧及低电位侧功率器件(Q2、Q1)的连接节点(PA)，该假想接地电位焊盘(11)对所述高电位侧电路(2)供给假想接地电位；共同接地电位焊盘(6)，对所述低电位侧电路(1)及高电位侧电路(2)共同供给接地电位；以及高耐压二极管(D3)，形成在所述半导体衬底区域(29)上，该高耐压二极管(D3)的负极电连接至所述假想接地电位焊盘(11)，而正极电连接至所述共同接地电位焊盘(6)。
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