[发明专利]内连线结构有效
| 申请号： | 201010143203.8 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101859727A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 廖茂成;杨怀德;孙钟仁;梁晋魁;廖廷修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种内连线结构与其形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供一介电层；形成一金属线于该介电层中；以及形成一复合蚀刻停止层，其中形成该复合蚀刻停止层包括：形成一底部蚀刻停止层于该金属线与该介电层之上；以及形成一顶部蚀刻停止层于该底部蚀刻停止层之上，其中该底部蚀刻停止层与该顶部蚀刻停止层具有不同组成，且两者的步骤于原处进行。本发明可使工艺成本减少约30％。且循环时间可以减少。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 结构 | ||
【主权项】：
一种内连线结构的形成方法，包括以下步骤：提供一介电层；形成一金属线于该介电层中；以及形成一复合蚀刻停止层，其中形成该复合蚀刻停止层包括：形成一底部蚀刻停止层于该金属线与该介电层之上；以及形成一顶部蚀刻停止层于该底部蚀刻停止层之上，其中该底部蚀刻停止层与该顶部蚀刻停止层具有不同组成，且两者的形成步骤于原处进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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