[发明专利]一种硅基太阳能电池正面栅电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基太阳能电池正面栅电极的制备方法。本发明采用如下技术方案：一种硅基太阳能电池正面栅电极的制备方法，其特征是：依次采用如下步骤：一、已经形成减反射膜的硅基太阳能电池正面上采用真空溅射的方法沉积一层5-50纳米厚金属膜；二、在金属膜上印刷一层正面栅电极形状的抗蚀图案；三、去除没有覆盖抗蚀图案的金属膜，形成电池正面栅电极图形；四、去除抗蚀图案，加厚正面栅电极。通过采用上述方案，本发明克服现有技术存在的不足，提供一种能改善正面栅电极与晶体硅之间的接触性能，而且能增强正面栅电极与晶体硅之间的附着力，降低电极的串电阻，提高太阳能电池的转换效率的新电极制备方法。

主权项

一种硅基太阳能电池正面栅电极的制备方法，其特征是：依次采用如下步骤：(1)、已经形成减反射膜的硅基太阳能电池正面上采用真空溅射的方法沉积一层5-50纳米金属膜；(2)、采用印刷工艺在金属膜上印刷一层正面栅电极形状的抗蚀图案；(3)、采用化学腐蚀法去除没有覆盖抗蚀图案的金属膜，形成电池正面栅电极图形；(4)、去除抗蚀图案，采用电镀工艺加厚正面栅电极，并结合烧结工艺完成硅基太阳能电池正面栅电极的制备。